FDMC8622 vs FDMC8327L

FDMC8622とFDMC8327Lの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
仕様
FDMC8622

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3245 個数 | オンセミコンダクター社
FDMC8327L

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6878 個数 | フェアチャイルドセミコンダクター
パッケージ PowerWDFN-8 PowerWDFN-8
説明 MOSFET N-CH 100V 4A/16A 8MLP POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Series PowerTrench® PowerTrench®
ProductStatus Active Active
FETType N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 100 V 40 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 4A (Ta), 16A (Tc) 12A (Ta), 14A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 6V, 10V 4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 56mOhm @ 4A, 10V 9.7mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250µA 3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 7.3 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 402 pF @ 50 V 1850 pF @ 20 V
PowerDissipation(Max) 2.5W (Ta), 31W (Tc) 2.3W (Ta), 30W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
比較モデル : FDMC8622 FDMC8327L

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