FDMC8030 vs FDMC8327L
FDMC8030とFDMC8327Lの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
パッケージ
PowerWDFN-8
説明
MOSFET 2N-CH 40V 12A 8PWR33
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Series
PowerTrench®
PowerTrench®
ProductStatus
-
Active
FETType
-
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
40 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
12A (Ta), 14A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
-
4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs
-
9.7mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
-
3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
26 nC @ 10 V
Vgs(Max)
-
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
1850 pF @ 20 V
PowerDissipation(Max)
-
2.3W (Ta), 30W (Tc)
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount
Part Status
Obsolete
-
Base Product Number
FDMC80
-
Configuration
2 N-Channel (Dual)
-
FET Feature
Logic Level Gate
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 12A, 10V
-
Power - Max
800mW
-
Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
-
