FDMC86259P vs FDMC86160

FDMC86259PとFDMC86160の詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FDMC86259P

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
7633 個数
Series
トランジスタ - FET、MOSFET -シングルFET、MOSFET
Part B

FDMC86160

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
4379 個数
Package
WDFN-8
Series
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

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Specification FDMC86259P FDMC86160
Series PowerTrench® PowerTrench®
Part Status Active Active
FET Type P-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V 100 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 9A (Ta), 43A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) - 6V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs - 14mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id - 4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 22 nC @ 10 V
Vgs(Max) - ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 1290 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max) 2.3W (Ta), 62W (Tc) 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Base Product Number FDMC86259 -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.2A (Ta), 13A (Tc) -
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 107mOhm @ 3A, 10V -
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 10 V -
Vgs (Max) ±25V -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2045 pF @ 75 V -
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -