FDMC8030 vs FDMC86259P

FDMC8030とFDMC86259Pの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
仕様
FDMC8030

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3544 個数 | オンセミコンダクター社
FDMC86259P

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7633 個数 | オンセミコンダクター社
パッケージ
説明 MOSFET 2N-CH 40V 12A 8PWR33 MOSFET P-CH 150V 3.2A/13A PWR33
Series PowerTrench® PowerTrench®
Part Status Obsolete Active
Base Product Number FDMC80 FDMC86259
FET Type - P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V 150 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A 3.2A (Ta), 13A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) - 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 12A, 10V 107mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V 32 nC @ 10 V
Vgs (Max) - ±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1975pF @ 20V 2045 pF @ 75 V
Power Dissipation (Max) - 2.3W (Ta), 62W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
Configuration 2 N-Channel (Dual) -
FET Feature Logic Level Gate -
Power - Max 800mW -
比較モデル : FDMC8030 FDMC86259P

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