FDS6930B vs FDS6911

FDS6930BとFDS6911の詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FDS6930B

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
16996 個数
Package
SOIC-8
Series
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
Part B

FDS6911

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
9582 個数
Package
SOIC-8
Series
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ

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Specification FDS6930B FDS6911
Supplier onsemi,Rochester Electronics, LLC onsemi
Series PowerTrench® PowerTrench®
Part Status Active Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 5.5A 7.5A
Rds On(Max) @ Id Vgs 38mOhm @ 5.5A, 10V 13mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 3.8nC @ 5V 24nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 412pF @ 15V 1130pF @ 15V
Power - Max 900mW 900mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount