FDS6930B vs FDS6930A
FDS6930BとFDS6930Aの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
パッケージ
SOIC-8
説明
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
Supplier
onsemi,Rochester Electronics, LLC
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Series
PowerTrench®
PowerTrench®
ProductStatus
Active
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FETType
2 N-Channel (Dual)
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FETFeature
Logic Level Gate
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DraintoSourceVoltage(Vdss)
30V
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Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
5.5A
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RdsOn(Max)@IdVgs
38mOhm @ 5.5A, 10V
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Vgs(th)(Max)@Id
3V @ 250µA
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GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
3.8nC @ 5V
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InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
412pF @ 15V
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Power-Max
900mW
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OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
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MountingType
Surface Mount
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Part Status
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Obsolete
Technology
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MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
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2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
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40mOhm @ 5.5A, 10V
Base Product Number
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FDS6930
