FGA40N65SMD vs FGA40T65SHD 比較

FGA40T65SHDとFGA40N65SMDの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
仕様
FGA40T65SHD

+BOM

5595 個数 | オンセミコンダクター社
FGA40N65SMD

+BOM

4225 個数 | オンセミコンダクター社
パッケージ TO-3PN TO-3PN
説明 IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO3PN IGBT FIELD STOP 650V 80A TO3PN
Part Status Active Active
IGBT Type Trench Field Stop Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 650 V 650 V
Current - Collector(Ic)(Max) 80 A 80 A
Current - Collector Pulsed(Icm) 120 A 120 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic 2.1V @ 15V, 40A 2.5V @ 15V, 40A
Power - Max 268 W 349 W
Switching Energy 1.01mJ (on), 297µJ (off) 820µJ (on), 260µJ (off)
Input Type Standard Standard
Gate Charge 72.2 nC 119 nC
Td(on / off) @ 25°C 19.2ns/65.6ns 12ns/92ns
Test Condition 400V, 40A, 6Ohm, 15V 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) 31.8 ns 42 ns
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
比較モデル : FGA40T65SHD FGA40N65SMD

+BOM 見積依頼