FGA40T65SHD vs FGA40T65UQDF

FGA40T65SHDとFGA40T65UQDFの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FGA40T65SHD

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
5595 個数
Package
TO-3PN
Series
トランジスタ - IGBT - シングル
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Part B

FGA40T65UQDF

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
5360 個数
Package
TO-3P-3
Series
トランジスタ - IGBT - シングル
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Full specification comparison

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Specification FGA40T65SHD FGA40T65UQDF
Supplier - onsemi
Part Status Active Obsolete
IGBT Type Trench Field Stop NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 650 V 650 V
Current - Collector(Ic)(Max) 80 A 80 A
Current - Collector Pulsed(Icm) 120 A 120 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic 2.1V @ 15V, 40A 1.67V @ 15V, 40A
Power - Max 268 W 231 W
Switching Energy 1.01mJ (on), 297µJ (off) 989µJ (on), 310µJ (off)
Input Type Standard Standard
Gate Charge 72.2 nC 306 nC
Td(on / off) @ 25°C 19.2ns/65.6ns 32ns/271ns
Test Condition 400V, 40A, 6Ohm, 15V 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) 31.8 ns 89 ns
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
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