IR2117STRPBF vs IR2110STR

IR2117STRPBFとIR2110STRの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IR2117STRPBF

インフィニオンテクノロジーズ

Lifecycle
Active
Stock
1294 個数
Package
SOIC 8N
Series
PMIC - ゲートドライバ
Part B

IR2110STR

インフィニオンテクノロジーズ

Lifecycle
Active
Stock
9490 個数
Package
SOIC-16
Series
PMIC - ゲートドライバ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification IR2117STRPBF IR2110STR
Part Status Active Obsolete
Driven Configuration High-Side Half-Bridge
Channel Type Single Independent
Number of Drivers 1 2
Gate Type IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 10V ~ 20V 3.3V ~ 20V
Logic Voltage - VILVIH 6V, 9.5V 6V, 9.5V
Current - Peak Output(Source Sink) 250mA, 500mA 2A, 2A
Input Type Non-Inverting Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 600 V 500 V
Rise / Fall Time(Typ) 80ns, 40ns 25ns, 17ns
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount