IR2117STRPBF vs IR2111STR

IR2117STRPBFとIR2111STRの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IR2117STRPBF

インフィニオンテクノロジーズ

Lifecycle
Active
Stock
1294 個数
Package
SOIC 8N
Series
PMIC - ゲートドライバ
Part B

IR2111STR

インフィニオンテクノロジーズ

Lifecycle
Active
Stock
8416 個数
Package
SOIC-8
Series
PMIC - ゲートドライバ

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Full specification comparison

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Specification IR2117STRPBF IR2111STR
Part Status Active Obsolete
Driven Configuration High-Side Half-Bridge
Channel Type Single Synchronous
Number of Drivers 1 2
Gate Type IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Logic Voltage - VILVIH 6V, 9.5V 8.3V, 12.6V
Current - Peak Output(Source Sink) 250mA, 500mA 250mA, 500mA
Input Type Non-Inverting Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 600 V 600 V
Rise / Fall Time(Typ) 80ns, 40ns 80ns, 40ns
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount