IRF530NPBF vs IRF530

IRF530とIRF530NPBFの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
仕様
IRF530

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1420 個数 | RFE/フューゼテック
IRF530NPBF

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7755 個数 | インフィニオンテクノロジーズ
パッケージ TO-220-3 TO220-3
説明 MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB
Series STripFET™ II HEXFET®
ProductStatus Obsolete Active
FETType N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 100 V 100 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 14A (Tc) 17A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 160mOhm @ 7A, 10V 90mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 21 nC @ 10 V 37 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 458 pF @ 25 V 920 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 60W (Tc) 70W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Through Hole Through Hole
比較モデル : IRF530 IRF530NPBF

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