IRF7351TRPBF vs IRF7343TRPBF

IRF7351TRPBFとIRF7343TRPBFの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRF7351TRPBF

インフィニオンテクノロジーズ

Lifecycle
Active
Stock
1607 個数
Package
SO-8
Series
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
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Part B

IRF7343TRPBF

インフィニオンテクノロジーズ

Lifecycle
Active
Stock
3788 個数
Package
SO-8
Series
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
+BOM 見積依頼

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Full specification comparison

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Specification IRF7351TRPBF IRF7343TRPBF
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Active Active
FET Type 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel
FET Feature Logic Level Gate Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V 55V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 8A 4.7A, 3.4A
Rds On(Max) @ Id Vgs 17.8mOhm @ 8A, 10V 50mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 50µA 1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 36nC @ 10V 36nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 1330pF @ 30V 740pF @ 25V
Power - Max 2W 2W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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