IRF7343TRPBF vs IRF7389
IRF7343TRPBFとIRF7389の詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
パッケージ
SO-8
SOIC-8
説明
MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
Supplier
-
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
Active
Obsolete
FETType
N and P-Channel
N and P-Channel
FETFeature
Standard
Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss)
55V
30V
RdsOn(Max)@IdVgs
50mOhm @ 4.7A, 10V
29mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
1V @ 250µA
1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
36nC @ 10V
33nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
740pF @ 25V
650pF @ 25V
Power-Max
2W
2.5W
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
4.7A, 3.4A
-
