IRF7416TRPBF vs IRF7410TRPBF

IRF7416TRPBFとIRF7410TRPBFの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRF7416TRPBF

インフィニオンテクノロジーズ

Lifecycle: Active
Stock: 4708 個数
Package: SOIC-8
Series: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

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Part B

IRF7410TRPBF

インフィニオンテクノロジーズ

Lifecycle: Active
Stock: 2629 個数
Package: SOIC-8
Series: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

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Full specification comparison

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Specification	IRF7416TRPBF	IRF7410TRPBF
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Active	Active
FET Type	P-Channel	P-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V	12 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	10A (Ta)	16A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	4.5V, 10V	1.8V, 4.5V
Rds On(Max) @ Id Vgs	20mOhm @ 5.6A, 10V	7mOhm @ 16A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id	1V @ 250µA	900mV @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	92 nC @ 10 V	91 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)	±20V	±8V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	1700 pF @ 25 V	8676 pF @ 10 V
Power Dissipation (Max)	2.5W (Ta)	2.5W (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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