IRF7416TRPBF vs IRF7473TRPBF
IRF7416TRPBFとIRF7473TRPBFの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
パッケージ
SOIC-8
SOIC-8
説明
MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
MOSFET N-CH 100V 6.9A 8SO
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
Active
Active
FETType
P-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
30 V
100 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
10A (Ta)
6.9A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
4.5V, 10V
10V
RdsOn(Max)@IdVgs
20mOhm @ 5.6A, 10V
26mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
1V @ 250µA
5.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
92 nC @ 10 V
61 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
1700 pF @ 25 V
3180 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max)
2.5W (Ta)
2.5W (Ta)
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
