IRF9310TRPBF vs IRF9389TRPBF

IRF9310TRPBFとIRF9389TRPBFの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRF9310TRPBF

インフィニオンテクノロジーズ

Lifecycle
Active
Stock
3929 個数
Series
トランジスタ - FET、MOSFET -シングルFET、MOSFET
Part B

IRF9389TRPBF

インフィニオンテクノロジーズ

Lifecycle
Active
Stock
2112 個数
Package
SO-8
Series
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ

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Specification IRF9310TRPBF IRF9389TRPBF
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Obsolete Active
Base Product Number IRF9310 -
FET Type P-Channel N and P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Ta) -
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.6mOhm @ 20A, 10V -
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 100µA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 165 nC @ 10 V -
Vgs (Max) ±20V -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5250 pF @ 15 V -
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta) -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -
FET Feature - Logic Level Gate
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 6.8A, 4.6A
Rds On(Max) @ Id Vgs - 27mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id - 2.3V @ 10µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 14nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 398pF @ 15V
Power - Max - 2W