IRF9358TRPBF vs IRF9310TRPBF 比較
IRF9310TRPBFとIRF9358TRPBFの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
パッケージ
SO-8
説明
MOSFET P-CH 30V 20A 8SO
MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SOIC
Series
HEXFET®
HEXFET®
Part Status
Obsolete
Active
Base Product Number
IRF9310
-
FET Type
P-Channel
2 P-Channel (Dual)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
20A (Ta)
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.6mOhm @ 20A, 10V
-
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 100µA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
165 nC @ 10 V
-
Vgs (Max)
±20V
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5250 pF @ 15 V
-
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta)
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
-
FET Feature
-
Logic Level Gate
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
-
9.2A
Rds On(Max) @ Id Vgs
-
16.3mOhm @ 9.2A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
-
2.4V @ 25µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
-
38nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
-
1740pF @ 25V
Power - Max
-
2W
