IRF9389TRPBF vs IRF9388TRPBF

IRF9389TRPBFとIRF9388TRPBFの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRF9389TRPBF

インフィニオンテクノロジーズ

Lifecycle: Active
Stock: 2112 個数
Package: SO-8
Series: トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ

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Part B

IRF9388TRPBF

インフィニオンテクノロジーズ

Lifecycle: Active
Stock: 1405 個数
Package: SO-8
Series: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

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Full specification comparison

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Specification	IRF9389TRPBF	IRF9388TRPBF
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Active	Active
FET Type	N and P-Channel	P-Channel
Technology	-	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V	30 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	6.8A, 4.6A	12A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	-	10V, 20V
Rds On(Max) @ Id Vgs	27mOhm @ 6.8A, 10V	8.5mOhm @ 12A, 20V
Vgs(th)(Max) @ Id	2.3V @ 10µA	2.4V @ 25µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	14nC @ 10V	52 nC @ 10 V
Vgs(Max)	-	±25V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	398pF @ 15V	1680 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)	-	2.5W (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
FET Feature	Logic Level Gate	-
Power - Max	2W	-

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