IRFB3206PBF vs IRFB3307ZPBF

IRFB3307ZPBFとIRFB3206PBFの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
仕様
IRFB3307ZPBF

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2255 個数 | インターナショナル・レクティファイアー
IRFB3206PBF

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6622 個数 | インフィニオンテクノロジーズ
パッケージ TO-220AB TO-220-3
説明 IRFB3307 - 12V-300V N-CHANNEL PO MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
ProductStatus Active Active
Series - HEXFET®
FETType - N-Channel
Technology - MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) - 60 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C - 120A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) - 10V
RdsOn(Max)@IdVgs - 3mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id - 4V @ 150µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs - 170 nC @ 10 V
Vgs(Max) - ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds - 6540 pF @ 50 V
PowerDissipation(Max) - 300W (Tc)
OperatingTemperature - -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType - Through Hole
比較モデル : IRFB3307ZPBF IRFB3206PBF

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