IRFB3307ZPBF vs IRFB3207ZPBF

IRFB3307ZPBFとIRFB3207ZPBFの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRFB3307ZPBF

インターナショナル・レクティファイアー

Lifecycle
Active
Stock
2255 個数
Package
TO-220AB
Series
特殊IC
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Part B

IRFB3207ZPBF

インターナショナル・レクティファイアー

Lifecycle
Active
Stock
2271 個数
Package
TO-220
Series
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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Full specification comparison

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Specification IRFB3307ZPBF IRFB3207ZPBF
Series - HEXFET®
Part Status Active Active
FET Type - N-Channel
Technology - MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) - 75 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 120A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) - 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs - 4.1mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id - 4V @ 150µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 170 nC @ 10 V
Vgs(Max) - ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 6920 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max) - 300W (Tc)
Operating Temperature - -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type - Through Hole
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