IRFB4019PBF vs IRFB4310PBF 比較
IRFB4310PBFとIRFB4019PBFの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
パッケージ
TO-220-3
TO-220-3
説明
IRFB4310 - 12V-300V N-CHANNEL PO
IRFB4019 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Series
HEXFET®
-
Part Status
Active
Active
FET Type
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
150 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
130A (Tc)
17A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
10V
10V
Rds On(Max) @ Id Vgs
7mOhm @ 75A, 10V
95mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
4V @ 250µA
4.9V @ 50µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
250 nC @ 10 V
20 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
7670 pF @ 50 V
800 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max)
300W (Tc)
80W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Through Hole
