IRFB4410ZPBF vs IRFB4227PBF 比較

IRFB4227PBFとIRFB4410ZPBFの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
仕様
IRFB4227PBF

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3207 個数 | インフィニオンテクノロジーズ
IRFB4410ZPBF

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6749 個数 | インフィニオンテクノロジーズ
パッケージ TO-220 TO-220
説明 MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V 100 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 65A (Tc) 97A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 24mOhm @ 46A, 10V 9mOhm @ 58A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 150µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 98 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 4600 pF @ 25 V 4820 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max) 330W (Tc) 230W (Tc)
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
比較モデル : IRFB4227PBF IRFB4410ZPBF

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