IRFB4615PBF vs IRFB4019PBF
IRFB4019PBFとIRFB4615PBFの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
パッケージ
TO-220-3
TO-220-3
説明
IRFB4019 - 12V-300V N-CHANNEL PO
IRFB4615 - 12V-300V N-CHANNEL PO
ProductStatus
Active
Active
FETType
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
150 V
150 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
17A (Tc)
35A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
10V
10V
RdsOn(Max)@IdVgs
95mOhm @ 10A, 10V
39mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
4.9V @ 50µA
5V @ 100µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
20 nC @ 10 V
26 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
800 pF @ 50 V
1750 pF @ 50 V
PowerDissipation(Max)
80W (Tc)
144W (Tc)
OperatingTemperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
-55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType
Through Hole
Through Hole
Series
-
HEXFET®
