IRFH7914TRPBF vs IRFH7911TR2PBF 比較
IRFH7914TRPBFとIRFH7911TR2PBFの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
パッケージ
PQFN-8
VQFN-18
説明
MOSFET N-CH 30V 15A/35A 8PQFN
MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN
Supplier
-
Infineon Technologies
Part Status
Active
Obsolete
FET Type
N-Channel
2 N-Channel (Dual)
FET Feature
-
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
15A (Ta), 35A (Tc)
13A, 28A
Rds On(Max) @ Id Vgs
8.7mOhm @ 14A, 10V
8.6mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
2.35V @ 25µA
2.35V @ 25µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
12 nC @ 4.5 V
12nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
1160 pF @ 15 V
1060pF @ 15V
Power - Max
-
2.4W, 3.4W
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
Series
HEXFET®
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
-
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
4.5V, 10V
-
Vgs(Max)
±20V
-
Power Dissipation (Max)
3.1W (Ta)
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
