IRFP4227PBF vs IRFP4768PBF
IRFP4768PBFとIRFP4227PBFの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
パッケージ
TO247
説明
MOSFET N-CH 250V 93A TO247AC
IRFP4227 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Series
HEXFET®
HEXFET®
Part Status
Last Time Buy
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Base Product Number
IRFP4768
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FET Type
N-Channel
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Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
250 V
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
93A (Tc)
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Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
17.5mOhm @ 56A, 10V
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Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
270 nC @ 10 V
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Vgs (Max)
±20V
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
10880 pF @ 50 V
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Power Dissipation (Max)
520W (Tc)
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Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
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Mounting Type
Through Hole
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Packaging
Tube
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ProductStatus
-
Active
FETType
-
N-Channel
DraintoSourceVoltage(Vdss)
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200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
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65A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
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10V
RdsOn(Max)@IdVgs
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25mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
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5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
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98 nC @ 10 V
Vgs(Max)
-
±30V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
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4600 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max)
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330W (Tc)
OperatingTemperature
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-40°C ~ 175°C (TJ)
MountingType
-
Through Hole
