IRFP460PBF vs IRFP450PBF

IRFP460PBFとIRFP450PBFの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRFP460PBF

インフィニオンテクノロジーズ

Lifecycle: Active
Stock: 2768 個数
Package: TO-247-3
Series: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

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Part B

IRFP450PBF

ナショナルセミコンダクター社

Lifecycle: Active
Stock: 6703 個数
Package: TO-247-3
Series: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

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Full specification comparison

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Specification	IRFP460PBF	IRFP450PBF
Part Status	Last Time Buy	Active
FET Type	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	500 V	500 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	20A (Tc)	14A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	10V	10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	270mOhm @ 12A, 10V	400mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	4V @ 250µA	4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	210 nC @ 10 V	150 nC @ 10 V
Vgs(Max)	±20V	±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	4200 pF @ 25 V	2600 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)	280W (Tc)	190W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Through Hole
Series	HEXFET®	-

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