IRG4PF50WPBF vs IRG4PC50FD-EPBF

IRG4PF50WPBFとIRG4PC50FD-EPBFの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

ISO9001 Quality Control ISO45001 ISO14001 100% Genuine
Part A

IRG4PF50WPBF

インフィニオンテクノロジーズ

Lifecycle
Active
Stock
7350 個数
Package
TO-247-3
Series
トランジスタ - IGBT - シングル
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Part B

IRG4PC50FD-EPBF

インフィニオンテクノロジーズ

Lifecycle
Active
Stock
2676 個数
Package
TO-247-3
Series
トランジスタ - IGBT - シングル
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Full specification comparison

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Specification IRG4PF50WPBF IRG4PC50FD-EPBF
Supplier - Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC
Part Status Obsolete Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 900 V 600 V
Current - Collector(Ic)(Max) 51 A 70 A
Current - Collector Pulsed(Icm) 204 A 280 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic 2.7V @ 15V, 28A 1.6V @ 15V, 39A
Power - Max 200 W 200 W
Switching Energy 190µJ (on), 1.06mJ (off) 1.5mJ (on), 2.4mJ (off)
Input Type Standard Standard
Gate Charge 160 nC 190 nC
Td(on / off) @ 25°C 29ns/110ns 55ns/240ns
Test Condition 720V, 28A, 5Ohm, 15V 480V, 39A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) - 50 ns
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
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