IRGIB15B60KD1P vs IRGIB4615DPBF

IRGIB15B60KD1PとIRGIB4615DPBFの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRGIB15B60KD1P

インフィニオンテクノロジーズ

Lifecycle
Active
Stock
4013 個数
Package
TO-220-3
Series
トランジスタ - IGBT - シングル
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Part B

IRGIB4615DPBF

インフィニオンテクノロジーズ

Lifecycle
Active
Stock
8114 個数
Package
TO-220-3
Series
トランジスタ - IGBT - シングル
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Full specification comparison

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Specification IRGIB15B60KD1P IRGIB4615DPBF
Supplier Rochester Electronics, LLC,Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Status Obsolete Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 600 V 600 V
Current - Collector(Ic)(Max) 19 A 15 A
Switching Energy 127µJ (on), 334µJ (off) 145µJ (on), 70µJ (off)
Input Type Standard Standard
Mounting Type Through Hole Through Hole
IGBT Type NPT -
Current - Collector Pulsed(Icm) 38 A -
Vce(on)(Max) @ Vge Ic 2.2V @ 15V, 15A -
Power - Max 52 W -
Gate Charge 56 nC -
Td(on / off) @ 25°C 30ns/173ns -
Test Condition 400V, 15A, 22Ohm, 15V -
Reverse Recovery Time (trr) 67 ns -
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -
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