IRGIB15B60KD1P vs IRGIB4630DPBF

IRGIB15B60KD1PとIRGIB4630DPBFの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRGIB15B60KD1P

インフィニオンテクノロジーズ

Lifecycle: Active
Stock: 4013 個数
Package: TO-220-3
Series: トランジスタ - IGBT - シングル

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Part B

IRGIB4630DPBF

インフィニオンテクノロジーズ

Lifecycle: Active
Stock: 5680 個数
Package: TO-220-3
Series: トランジスタ - IGBT - シングル

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Full specification comparison

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Specification	IRGIB15B60KD1P	IRGIB4630DPBF
Supplier	Rochester Electronics, LLC,Infineon Technologies	Infineon Technologies
Part Status	Obsolete	Obsolete
IGBT Type	NPT	NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	600 V	600 V
Current - Collector(Ic)(Max)	19 A	47 A
Current - Collector Pulsed(Icm)	38 A	54 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic	2.2V @ 15V, 15A	1.95V @ 15V, 18A
Power - Max	52 W	206 W
Switching Energy	127µJ (on), 334µJ (off)	95µJ (on), 350µJ (off)
Input Type	Standard	Standard
Gate Charge	56 nC	35 nC
Td(on / off) @ 25°C	30ns/173ns	40ns/105ns
Test Condition	400V, 15A, 22Ohm, 15V	400V, 18A, 22Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)	67 ns	100 ns
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	-40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Through Hole

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