IRLML6346TRPBF vs IRLML6401TRPBF
IRLML6401TRPBFとIRLML6346TRPBFの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
パッケージ
SOT-23
説明
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
MOSFET N-CH 30V 3.4A SOT23
Series
HEXFET®
HEXFET®
Part Status
Last Time Buy
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Base Product Number
IRLML6401
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FET Type
P-Channel
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Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
12 V
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4.3A (Ta)
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Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
50mOhm @ 4.3A, 4.5V
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Vgs(th) (Max) @ Id
950mV @ 250µA
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 5 V
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Vgs (Max)
±8V
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
830 pF @ 10 V
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Power Dissipation (Max)
1.3W (Ta)
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Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
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Mounting Type
Surface Mount
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Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
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ProductStatus
-
Active
FETType
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N-Channel
DraintoSourceVoltage(Vdss)
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30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
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3.4A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
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2.5V, 4.5V
RdsOn(Max)@IdVgs
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63mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id
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1.1V @ 10µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
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2.9 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)
-
±12V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
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270 pF @ 24 V
PowerDissipation(Max)
-
1.3W (Ta)
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount
