LM358BAIDR vs LM358DG

LM358BAIDRとLM358DGの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

LM358BAIDR

STマイクロエレクトロニクス

Lifecycle: Active
Stock: 2857 個数
Series: リニアアンプ - 計装用、オペアンプ、バッファアンプ

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Part B

LM358DG

オンセミコンダクター社

Lifecycle: Active
Stock: 9337 個数
Package: SOIC-8
Series: リニアアンプ - 計装用、オペアンプ、バッファアンプ

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Full specification comparison

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Specification	LM358BAIDR	LM358DG
Supplier	-	Rochester Electronics, LLC,onsemi
Part Status	Active	Obsolete
Amplifier Type	General Purpose	General Purpose
Number of Circuits	2	2
Gain Bandwidth Product	1.2 MHz	1 MHz
Current - Input Bias	10 nA	45 nA
Voltage - Input Offset	2 mV	2 mV
Supply Current	300µA (x2 Channels)	800µA (x2 Channels)
Current - Output / Channel	40 mA	40 mA
Voltage - Supply Span(Min)	3 V	3 V
Voltage - Supply Span(Max)	36 V	32 V
Operating Temperature	-40°C ~ 125°C (TA)	0°C ~ 70°C
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Slew Rate	0.5V/µs	-

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