LM358BAIDR vs LM358DRG4

LM358BAIDRとLM358DRG4の詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

LM358BAIDR

STマイクロエレクトロニクス

Lifecycle
Active
Stock
2857 個数
Series
リニアアンプ - 計装用、オペアンプ、バッファアンプ
Part B

LM358DRG4

STマイクロエレクトロニクス

Lifecycle
Active
Stock
3452 個数
Package
SOIC-8
Series
リニアアンプ - 計装用、オペアンプ、バッファアンプ

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Specification LM358BAIDR LM358DRG4
Supplier - Texas Instruments,Rochester Electronics, LLC
Part Status Active Discontinued at Digi-Key
Amplifier Type General Purpose General Purpose
Number of Circuits 2 2
Slew Rate 0.5V/µs 0.3V/µs
Gain Bandwidth Product 1.2 MHz 700 kHz
Current - Input Bias 10 nA 20 nA
Voltage - Input Offset 2 mV 3 mV
Supply Current 300µA (x2 Channels) 500µA (x2 Channels)
Current - Output / Channel 40 mA 40 mA
Voltage - Supply Span(Min) 3 V 3 V
Voltage - Supply Span(Max) 36 V 30 V
Operating Temperature -40°C ~ 125°C (TA) 0°C ~ 70°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount