MC33153DR2G vs MC33174DG

MC33153DR2GとMC33174DGの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MC33153DR2G

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
3220 個数
Package
SOIC-8
Series
PMIC - ゲートドライバ
Part B

MC33174DG

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
6773 個数
Package
SOIC-14
Series
リニアアンプ - 計装用、オペアンプ、バッファアンプ

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Full specification comparison

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Specification MC33153DR2G MC33174DG
Supplier - onsemi
Part Status Active Obsolete
Amplifier Type - General Purpose
Number of Circuits - 4
Slew Rate - 2.1V/µs
Gain Bandwidth Product - 1.8 MHz
Current - Input Bias - 20 nA
Voltage - Input Offset - 2 mV
Supply Current - 180µA (x4 Channels)
Current - Output / Channel - 27 mA
Voltage - Supply Span(Min) - 3 V
Voltage - Supply Span(Max) - 44 V
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 85°C
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Driven Configuration Low-Side -
Channel Type Single -
Number of Drivers 1 -
Gate Type IGBT, N-Channel MOSFET -
Voltage - Supply 11V ~ 20V -
Logic Voltage - VILVIH 1.2V, 3.2V -
Current - Peak Output(Source Sink) 1A, 2A -
Input Type Inverting -
Rise / Fall Time(Typ) 17ns, 17ns -