MC33171DR2G vs MC33153D

MC33171DR2GとMC33153Dの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MC33171DR2G

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
2683 個数
Package
SOIC-8
Series
リニアアンプ - 計装用、オペアンプ、バッファアンプ
Part B

MC33153D

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
8143 個数
Package
SOIC-8
Series
PMIC - ゲートドライバ

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Full specification comparison

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Specification MC33171DR2G MC33153D
Part Status Active Obsolete
Driven Configuration - Low-Side
Channel Type - Single
Number of Drivers - 1
Gate Type - IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply - 11V ~ 20V
Logic Voltage - VILVIH - 1.2V, 3.2V
Current - Peak Output(Source Sink) - 1A, 2A
Input Type - Inverting
Rise / Fall Time(Typ) - 17ns, 17ns
Operating Temperature -40°C ~ 85°C -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Amplifier Type General Purpose -
Number of Circuits 1 -
Slew Rate 2.1V/µs -
Gain Bandwidth Product 1.8 MHz -
Current - Input Bias 20 nA -
Voltage - Input Offset 2 mV -
Supply Current 220µA -
Current - Output / Channel 27 mA -
Voltage - Supply Span(Min) 3 V -
Voltage - Supply Span(Max) 44 V -