MC33151DR2G vs MC33171DR2G

MC33151DR2GとMC33171DR2Gの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MC33151DR2G

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
6915 個数
Package
SOIC-8
Series
PMIC - ゲートドライバ
Part B

MC33171DR2G

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
2683 個数
Package
SOIC-8
Series
リニアアンプ - 計装用、オペアンプ、バッファアンプ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification MC33151DR2G MC33171DR2G
Part Status Active Active
Driven Configuration Low-Side -
Channel Type Independent -
Number of Drivers 2 -
Gate Type N-Channel MOSFET -
Voltage - Supply 6.5V ~ 18V -
Logic Voltage - VILVIH 0.8V, 2.6V -
Current - Peak Output(Source Sink) 1.5A, 1.5A -
Input Type Inverting -
Rise / Fall Time(Typ) 31ns, 32ns -
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 85°C
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Amplifier Type - General Purpose
Number of Circuits - 1
Slew Rate - 2.1V/µs
Gain Bandwidth Product - 1.8 MHz
Current - Input Bias - 20 nA
Voltage - Input Offset - 2 mV
Supply Current - 220µA
Current - Output / Channel - 27 mA
Voltage - Supply Span(Min) - 3 V
Voltage - Supply Span(Max) - 44 V