MC33171DR2G vs MC33151DR2G
MC33151DR2GとMC33171DR2Gの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
パッケージ
8-SOIC
8-SOIC
説明
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8SOIC
ProductStatus
Active
Active
DrivenConfiguration
Low-Side
-
ChannelType
Independent
-
NumberofDrivers
2
-
GateType
N-Channel MOSFET
-
Voltage-Supply
6.5V ~ 18V
-
LogicVoltage-VILVIH
0.8V, 2.6V
-
Current-PeakOutput(SourceSink)
1.5A, 1.5A
-
InputType
Inverting
-
Rise/FallTime(Typ)
31ns, 32ns
-
OperatingTemperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
-40°C ~ 85°C
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
AmplifierType
-
General Purpose
NumberofCircuits
-
1
SlewRate
-
2.1V/µs
GainBandwidthProduct
-
1.8 MHz
Current-InputBias
-
20 nA
Voltage-InputOffset
-
2 mV
Current-Supply
-
220µA
Current-Output/Channel
-
27 mA
Voltage-SupplySpan(Min)
-
3 V
Voltage-SupplySpan(Max)
-
44 V
