MC33179DR2G vs MC33178DR2G

MC33179DR2GとMC33178DR2Gの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MC33179DR2G

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
4448 個数
Series
リニアアンプ - 計装用、オペアンプ、バッファアンプ
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Part B

MC33178DR2G

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
3213 個数
Series
リニアアンプ - 計装用、オペアンプ、バッファアンプ
+BOM 見積依頼

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Full specification comparison

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Specification MC33179DR2G MC33178DR2G
Part Status Active Active
Amplifier Type General Purpose General Purpose
Number of Circuits 4 2
Slew Rate 2V/µs 2V/µs
Gain Bandwidth Product 5 MHz 5 MHz
Current - Input Bias 100 nA 100 nA
Voltage - Input Offset 150 µV 150 µV
Supply Current 1.7mA (x4 Channels) 1.7mA (x2 Channels)
Current - Output / Channel 100 mA 100 mA
Voltage - Supply Span(Min) 4 V 4 V
Voltage - Supply Span(Max) 36 V 36 V
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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