MJD45H11RLG vs MJD45H11RL 比較

MJD45H11RLGとMJD45H11RLの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
仕様
MJD45H11RLG

+BOM

10534 個数 | オンセミコンダクター社
MJD45H11RL

+BOM

7292 個数 | オンセミコンダクター社
パッケージ TO-252-3 TO-252-3
説明 TRANS PNP 80V 8A DPAK TRANS POWER PNP 8A 80V DPAK
Supplier onsemi Rochester Electronics, LLC
Part Status Active Obsolete
Transistor Type PNP PNP
Current - Collector(Ic)(Max) 8 A 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 80 V 80 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 1V @ 400mA, 8A 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff(Max) 1µA 1µA
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 40 @ 4A, 1V 60 @ 2A, 1V
Power - Max 1.75 W 20 W
Frequency - Transition 90MHz 90MHz
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
比較モデル : MJD45H11RLG MJD45H11RL

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