MMBF4393LT1G vs MMBF4416

MMBF4393LT1GとMMBF4416の詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
仕様
MMBF4393LT1G

+BOM

6952 個数 | オンセミコンダクター社
MMBF4416

+BOM

8852 個数 | オンセミコンダクター社
パッケージ SOT23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
説明 JFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3 RF MOSFET N-CH JFET 15V SOT23-3
Supplier - onsemi,Rochester Electronics, LLC
ProductStatus Active Active
TransistorType - N-Channel JFET
Frequency - 100MHz
Gain - 18dB
Voltage-Test - 15 V
CurrentRating(Amps) - 15mA
NoiseFigure - 2dB
Current-Test - 5 mA
Voltage-Rated - 30 V
FETType N-Channel -
Voltage-Breakdown(V(BR)GSS) 30 V -
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30 V -
Current-Drain(Idss)@Vds(Vgs=0) 5 mA @ 15 V -
Voltage-Cutoff(VGSoff)@Id 500 mV @ 10 nA -
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 14pF @ 15V -
Resistance-RDS(On) 100 Ohms -
Power-Max 225 mW -
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
MountingType Surface Mount -
比較モデル : MMBF4393LT1G MMBF4416

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