MMBFJ108 vs MMBFJ202
MMBFJ202とMMBFJ108の詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
パッケージ
TO-236-3
TO-236-3
説明
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
JFET N-CH 25V 350MW SSOT3
Supplier
Rochester Electronics, LLC
onsemi
ProductStatus
Active
Active
FETType
N-Channel
N-Channel
Voltage-Breakdown(V(BR)GSS)
40 V
25 V
Current-Drain(Idss)@Vds(Vgs=0)
900 µA @ 20 V
80 mA @ 15 V
Voltage-Cutoff(VGSoff)@Id
800 mV @ 10 nA
3 V @ 10 nA
Power-Max
350 mW
350 mW
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
Resistance-RDS(On)
-
8 Ohms
