MMBFJ108 vs MMBFJ212

MMBFJ108とMMBFJ212の詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MMBFJ108

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
9924 個数
Package
TO-236-3
Series
トランジスタ - JFET
Part B

MMBFJ212

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
7915 個数
Package
TO-236-3
Series
トランジスタ - FET、MOSFET - RF

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Full specification comparison

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Specification MMBFJ108 MMBFJ212
Supplier onsemi onsemi
Part Status Active Obsolete
FET Type N-Channel -
Voltage - Breakdown(V(BR)GSS) 25 V -
Current - Drain(Idss) @ Vds(Vgs=0) 80 mA @ 15 V -
Voltage - Cutoff(VG Soff) @ Id 3 V @ 10 nA -
Rds On 8 Ohms -
Power - Max 350 mW -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
Mounting Type Surface Mount -
Transistor Type - N-Channel JFET
Current Rating (Amps) - 40mA
Voltage - Rated - 25 V