MMBFJ202 vs MMBFJ212
MMBFJ202とMMBFJ212の詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
パッケージ
TO-236-3
TO-236-3
説明
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
JFET N-CH 25V 40MA SOT23
Supplier
Rochester Electronics, LLC
onsemi
ProductStatus
Active
Obsolete
FETType
N-Channel
-
Voltage-Breakdown(V(BR)GSS)
40 V
-
Current-Drain(Idss)@Vds(Vgs=0)
900 µA @ 20 V
-
Voltage-Cutoff(VGSoff)@Id
800 mV @ 10 nA
-
Power-Max
350 mW
-
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
MountingType
Surface Mount
-
TransistorType
-
N-Channel JFET
CurrentRating(Amps)
-
40mA
Voltage-Rated
-
25 V
