MMBFJ202 vs MMBFJ271

MMBFJ202とMMBFJ271の詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MMBFJ202

フェアチャイルドセミコンダクター

Lifecycle
Active
Stock
24610 個数
Package
TO-236-3
Series
トランジスタ - JFET
Part B

MMBFJ271

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
2113 個数
Package
TO-236-3
Series
トランジスタ - JFET

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Full specification comparison

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Specification MMBFJ202 MMBFJ271
Supplier Rochester Electronics, LLC onsemi
Part Status Active Obsolete
FET Type N-Channel P-Channel
Voltage - Breakdown(V(BR)GSS) 40 V 30 V
Current - Drain(Idss) @ Vds(Vgs=0) 900 µA @ 20 V 6 mA @ 15 V
Voltage - Cutoff(VG Soff) @ Id 800 mV @ 10 nA 1.5 V @ 1 nA
Power - Max 350 mW 225 mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount