MMBFJ309LT1G vs MMBFJ112

MMBFJ112とMMBFJ309LT1Gの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
仕様
MMBFJ112

+BOM

3055 個数 | オンセミコンダクター社
MMBFJ309LT1G

+BOM

3774 個数 | オンセミコンダクター社
パッケージ SOT-23-3 SOT-23-3
説明 JFET N-CH 35V 0.35W SOT-23 RF MOSFET N-CH JFET SOT23-3
ProductStatus Active Active
FETType N-Channel -
Voltage-Breakdown(V(BR)GSS) 35 V -
Current-Drain(Idss)@Vds(Vgs=0) 5 mA @ 15 V -
Voltage-Cutoff(VGSoff)@Id 1 V @ 1 µA -
Resistance-RDS(On) 50 Ohms -
Power-Max 350 mW -
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
MountingType Surface Mount -
TransistorType - N-Channel JFET
CurrentRating(Amps) - 30mA
Voltage-Rated - 25 V
比較モデル : MMBFJ112 MMBFJ309LT1G

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