MMBFJ309LT1G vs MMBFJ177
MMBFJ177とMMBFJ309LT1Gの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
パッケージ
SOT-23-3
SOT-23-3
説明
JFET P-CH 30V 0.225W SOT23
RF MOSFET N-CH JFET SOT23-3
ProductStatus
Obsolete
Active
FETType
P-Channel
-
Voltage-Breakdown(V(BR)GSS)
30 V
-
Current-Drain(Idss)@Vds(Vgs=0)
1.5 mA @ 15 V
-
Voltage-Cutoff(VGSoff)@Id
800 mV @ 10 nA
-
Resistance-RDS(On)
300 Ohms
-
Power-Max
225 mW
-
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
MountingType
Surface Mount
-
TransistorType
-
N-Channel JFET
CurrentRating(Amps)
-
30mA
Voltage-Rated
-
25 V
