MMBFJ310LT1G vs MMBFJ112
MMBFJ112とMMBFJ310LT1Gの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
パッケージ
SOT23-3
SOT23-3
説明
JFET N-CH 35V 0.35W SOT-23
RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23
ProductStatus
Active
Active
FETType
N-Channel
-
Voltage-Breakdown(V(BR)GSS)
35 V
-
Current-Drain(Idss)@Vds(Vgs=0)
5 mA @ 15 V
-
Voltage-Cutoff(VGSoff)@Id
1 V @ 1 µA
-
Resistance-RDS(On)
50 Ohms
-
Power-Max
350 mW
-
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
MountingType
Surface Mount
-
TransistorType
-
N-Channel JFET
Gain
-
12dB
Voltage-Test
-
10 V
CurrentRating(Amps)
-
60mA
Current-Test
-
10 mA
Voltage-Rated
-
25 V
