MMBFJ310LT1G vs MMBFJ201

MMBFJ201とMMBFJ310LT1Gの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察が得られます。RoHS指令準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。詳細については、データシートを参照するか、当社の営業チームにお問い合わせください。お客様の設計に最適な部品の選択をお手伝いいたします。
仕様
MMBFJ201

+BOM

5102 個数 | オンセミコンダクター社
MMBFJ310LT1G

+BOM

7096 個数 | オンセミコンダクター社
パッケージ SOT-23 SOT23-3
説明 JFET N-CH 40V 350MW SOT23 RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23
ProductStatus Active Active
FETType N-Channel -
Voltage-Breakdown(V(BR)GSS) 40 V -
Current-Drain(Idss)@Vds(Vgs=0) 200 µA @ 20 V -
Voltage-Cutoff(VGSoff)@Id 300 mV @ 10 nA -
Power-Max 350 mW -
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
MountingType Surface Mount -
TransistorType - N-Channel JFET
Gain - 12dB
Voltage-Test - 10 V
CurrentRating(Amps) - 60mA
Current-Test - 10 mA
Voltage-Rated - 25 V
比較モデル : MMBFJ201 MMBFJ310LT1G

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