MMBT3906LT1 vs MMBT3640

MMBT3906LT1とMMBT3640の詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MMBT3906LT1

オンセミコンダクター社

Lifecycle: Active
Stock: 2079 個数
Package: TO-236-3
Series: トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル

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Part B

MMBT3640

オンセミコンダクター社

Lifecycle: Active
Stock: 22607 個数
Package: TO-236-3
Series: トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル

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Full specification comparison

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Specification	MMBT3906LT1	MMBT3640
Supplier	Rochester Electronics, LLC	onsemi
Part Status	Obsolete	Obsolete
Transistor Type	PNP	PNP
Current - Collector(Ic)(Max)	200 mA	200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	40 V	12 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic	400mV @ 5mA, 50mA	600mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce	100 @ 10mA, 1V	30 @ 10mA, 300mV
Power - Max	225 mW	225 mW
Frequency - Transition	250MHz	500MHz
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Current - Collector Cutoff(Max)	-	10nA
Operating Temperature	-	-55°C ~ 150°C (TJ)

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