MMBT3906LT1 vs MMBT3646

MMBT3906LT1とMMBT3646の詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MMBT3906LT1

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
2079 個数
Package
TO-236-3
Series
トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル
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Part B

MMBT3646

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
7189 個数
Package
TO-236-3
Series
トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル
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Specification MMBT3906LT1 MMBT3646
Supplier Rochester Electronics, LLC onsemi,Flip Electronics,Rochester Electronics, LLC
Part Status Obsolete Obsolete
Transistor Type PNP NPN
Current - Collector(Ic)(Max) 200 mA 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 40 V 15 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 400mV @ 5mA, 50mA 500mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff(Max) - 500nA
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 100 @ 10mA, 1V 30 @ 30mA, 400mV
Power - Max 225 mW 625 mW
Operating Temperature - -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Frequency - Transition 250MHz -
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