MMBT4401LT1G vs MMBT4403LT1G

MMBT4401LT1GとMMBT4403LT1Gの詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

ISO9001 Quality Control ISO45001 ISO14001 100% Genuine
Part A

MMBT4401LT1G

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
4161 個数
Package
SOT-23-3
Series
トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル
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Part B

MMBT4403LT1G

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
4576 個数
Package
SOT-23-3
Series
トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル
+BOM 見積依頼

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Full specification comparison

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Specification MMBT4401LT1G MMBT4403LT1G
Part Status Active Active
Transistor Type NPN PNP
Current - Collector(Ic)(Max) 600 mA 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 40 V 40 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 750mV @ 50mA, 500mA 750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 100 @ 150mA, 1V 100 @ 150mA, 2V
Power - Max 300 mW 300 mW
Frequency - Transition 250MHz 200MHz
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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