MMBT5087LT1G vs MMBT5401-7

MMBT5087LT1GとMMBT5401-7の詳細な比較では、それぞれの仕様と主要機能に関する貴重な洞察を提供します。RoHS指令への準拠、REACH規則、シリーズ、実装スタイル、パッケージタイプ、その他の関連特性など、重要な要素を詳細に網羅しています。違いを並べて表示することで、部品選定が容易になり、特定のアプリケーションに最適なオプションを選択しやすくなります。

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MMBT5087LT1G

オンセミコンダクター社

Lifecycle
Active
Stock
28578 個数
Package
TO-236-3
Series
トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル
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Part B

MMBT5401-7

アナログ・デバイセズ

Lifecycle
Active
Stock
7677 個数
Package
TO-236-3
Series
トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル
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Specification MMBT5087LT1G MMBT5401-7
Supplier onsemi,Rochester Electronics, LLC Diodes Incorporated
Series - Automotive, AEC-Q101
Part Status Active Discontinued at Digi-Key
Transistor Type PNP PNP
Current - Collector(Ic)(Max) 50 mA 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 50 V 150 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 300mV @ 1mA, 10mA 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff(Max) 50nA (ICBO) 50nA (ICBO)
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 250 @ 100µA, 5V 60 @ 10mA, 5V
Power - Max 300 mW 300 mW
Frequency - Transition 40MHz 300MHz
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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